TK31E60X,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK31E60X,S1X |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $5.67 |
10+ | $5.095 |
100+ | $4.1749 |
500+ | $3.554 |
1000+ | $2.9973 |
2000+ | $2.8475 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.5mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
Serie | DTMOSIV-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88mOhm @ 9.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 230W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 300 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30.8A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK31E60 |
TK31E60X,S1X Einzelheiten PDF [English] | TK31E60X,S1X PDF - EN.pdf |
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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